📱 iPad 相容版|向量使用粗體字母(如 𝐄、𝐇)表示;a_x、a_y、a_z 表示各軸單位向量。希臘字母 α、β 分別為衰減與相位常數。
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電磁學期中考 零基礎互動式家教系統

彰化師範大學 電機三甲|7天抓穩 70~75 分必拿基本盤,果斷放生繁瑣推導

總完成度
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🎯 下週四 (11/12) 考試 · 60分及格保底戰略 只抓最好拿的 70~75 分基本盤,穩過 60 分!

7 天搶分黃金組合:名詞定義(10~30%) + 平面波(15~25%) + 良導體(15~30%) + 正向駐波(15~35%)

🔥 重大發現(教授作業 = 考題母體!): 比對你上傳的 4 份作業投影片後發現:《電磁作業_1》第11~12頁 (Example 8-10) 就是 111年第6題 (25%) 一字不漏的原題! 而 《作業7》第5頁 (Example 8-12) 就是 114年第6題 (30%) 只把 εr1=36, εr2=18 對調的雙胞胎題!
✅ 必拿及格 4 柱(合計佔 70%~90%): (1) 名詞定義(10~30%)、(2) 平面波基本題(15~25%)、(3) 良導體海水/銅題(作業1 Ex 8-2 對應 114-3、113-1,佔 20~30%)、(4) 正向入射駐波與無反射匹配層(114-4=111-5、作業4 Ex 8-5、作業6 Ex 8-8)。

🎯 111~114 考古題主題與配分對照表

點選題號可直接跳轉逐步解題
主題類別 優先度 歷屆出現題號與配分 核心必考計算
平面電磁波 極高 111-4(20%), 112-1(15%), 112-2(15%), 113-2(25%), 114-2(15%) 傳播方向、E/H互轉、相量轉瞬時式、平均功率密度
良導體與集膚深度 極高 111-1(10%), 112-3(15%), 113-1(30%), 114-3(20%) α=β=√(πfμσ)、集膚深度 δ=1/α、相速度、複數本質阻抗 η
正向入射與駐波 極高 111-5(25%), 112-4(15%), 113-3(35%), 114-4(15%) 反射係數 Γ、穿透係數 τ、SWR、|H|min 與 |E|max 位置
斜向入射 極高 111-6(25%), 112-5(15%), 112-6(25%), 113-4(15%), 114-6(30%) Snell定律、臨界角 θc、Brewster角 θB、TE/TM 反射與場量
波阻抗與多層介質 高 111-5(4), 112-4(c), 113-3(c), 114-5(10%) Z(l) 波阻抗公式、λ/4 與 λ/2 阻抗變換器
定義與名詞觀念 中 111-1~3(30%), 114-1(10%) 集膚深度定義、TEM波與均勻平面波、本質阻抗 vs 波阻抗

📅 下週四考試 · 7 天及格急救進度表

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